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6 2014-0599 张弛
2015年3月6日 碳化硅单晶具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好[1]等优点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景,用其制成的器件可在600 °C以 6 2014-0599 张弛2015年3月6日 碳化硅单晶具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好[1]等优点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景,用其制成的器件可在600 °C以
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碳化硅导热性简介
一般来说，在特定温度范围内，温度越高，碳化硅的热导率越高。 晶体结构： 导热性随晶体结构的不同而变化，例如碳化硅、4H SiC 和 6H SiC 的不同晶体形态。 碳化硅导热性简介一般来说，在特定温度范围内，温度越高，碳化硅的热导率越高。 晶体结构： 导热性随晶体结构的不同而变化，例如碳化硅、4H SiC 和 6H SiC 的不同晶体形态。
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分子动力学计算碳化硅热导率,Japanese Journal of Applied ...
2008年12月19日 结果表明，完美的2H-、3C-、4H-和6H-SiC多型体的热导率在260～420 W/ (mK)范围内，其中3C-SiC的热导率最大。 多型之间。 4H-SiC的热导率随着杂质浓度 分子动力学计算碳化硅热导率,Japanese Journal of Applied ...2008年12月19日 结果表明，完美的2H-、3C-、4H-和6H-SiC多型体的热导率在260～420 W/ (mK)范围内，其中3C-SiC的热导率最大。 多型之间。 4H-SiC的热导率随着杂质浓度
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碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展 - nchu
其中，碳化硅（SiC）由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。 除此之外，SiC具有的 碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展 - nchu其中，碳化硅（SiC）由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。 除此之外，SiC具有的
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碳化硅材料热导率计算研究进展 - 百度学术
2015年3月3日 碳化硅材料热导率计算研究进展. 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理.综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法.Boltzmann-弛豫时间 碳化硅材料热导率计算研究进展 - 百度学术2015年3月3日 碳化硅材料热导率计算研究进展. 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理.综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法.Boltzmann-弛豫时间
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杂质和缺陷对 SiC 单晶导热性能的影响
2021年7月17日 碳化硅(SiC) 晶体是一种重要的第三代半导体材料, 与第一代半导体硅(Si) 晶体、第二代半导体砷化镓(GaAs) 晶体为代表的材料相比,SiC 晶体具有禁带宽度大、 击穿 杂质和缺陷对 SiC 单晶导热性能的影响2021年7月17日 碳化硅(SiC) 晶体是一种重要的第三代半导体材料, 与第一代半导体硅(Si) 晶体、第二代半导体砷化镓(GaAs) 晶体为代表的材料相比,SiC 晶体具有禁带宽度大、 击穿
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高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择.cdr
2022年1月28日 本文将针对高导热碳化硅, 特别是碳化硅晶圆,介绍目前常用的几种热导率测试方法, 并做出分析, 对热导率测试方法的选择给出参考意见。 二、激光闪光法. 闪光法(F 高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择.cdr2022年1月28日 本文将针对高导热碳化硅, 特别是碳化硅晶圆,介绍目前常用的几种热导率测试方法, 并做出分析, 对热导率测试方法的选择给出参考意见。 二、激光闪光法. 闪光法(F
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晶体碳化硅膜、纳米线和声子晶体中热导率的纳米级极限 ...
2022年4月15日 Affiliation. 碳化硅 (SiC) 凭借其卓越的热性能，旨在成为功率微电子领域的第一大材料。. SiC 技术的最新进展最终实现了晶体 SiC 纳米结构的制造。. 然而，纳米 晶体碳化硅膜、纳米线和声子晶体中热导率的纳米级极限 ...2022年4月15日 Affiliation. 碳化硅 (SiC) 凭借其卓越的热性能，旨在成为功率微电子领域的第一大材料。. SiC 技术的最新进展最终实现了晶体 SiC 纳米结构的制造。. 然而，纳米
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碳化硅基半导体材料硬度及热导率研究 - 百度学术
碳化硅作为第三代半导体中的典型材料,由于其优越的性能,例如高硬度,高热导率,高禁带宽度等,现在已经逐渐在半导体领域占据更大的应用领域和市场份额.碳化硅单晶的生长已经有 碳化硅基半导体材料硬度及热导率研究 - 百度学术碳化硅作为第三代半导体中的典型材料,由于其优越的性能,例如高硬度,高热导率,高禁带宽度等,现在已经逐渐在半导体领域占据更大的应用领域和市场份额.碳化硅单晶的生长已经有
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碳化硅陶瓷导热性能的研究进展 - biam.ac.cn
由于原料、成型工艺、烧成工艺和烧结助剂等因素制约，SiC陶瓷含有较多气孔、晶界、杂质和缺陷，导致其常温热导率（≤270 Wm -1 K -1 ）低于碳化硅单晶材料（6H-SiC，490 碳化硅陶瓷导热性能的研究进展 - biam.ac.cn由于原料、成型工艺、烧成工艺和烧结助剂等因素制约，SiC陶瓷含有较多气孔、晶界、杂质和缺陷，导致其常温热导率（≤270 Wm -1 K -1 ）低于碳化硅单晶材料（6H-SiC，490
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SiC / SiC复合材料的高空间分辨率热导图,Journal of Nuclear ...
2020年9月11日 由于碳化硅（SiC）陶瓷基复合材料具有比Zircaloy更高的事故承受能力，因此正在被研究作为新一代燃料覆层材料。SiC / SiC复合材料中SiC成分及其界面和相间的导热系数需要作为熔覆性能模型的输入。我们使用时域热反射（TDTR）来绘制空间分辨率 ... SiC / SiC复合材料的高空间分辨率热导图,Journal of Nuclear ...2020年9月11日 由于碳化硅（SiC）陶瓷基复合材料具有比Zircaloy更高的事故承受能力，因此正在被研究作为新一代燃料覆层材料。SiC / SiC复合材料中SiC成分及其界面和相间的导热系数需要作为熔覆性能模型的输入。我们使用时域热反射（TDTR）来绘制空间分辨率 ...
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碳化硅(SiC)作为导热材料的应用前景 - 技术科普 - 新
2023年6月6日 2.不同添加剂掺杂对热导率的影响 在制备具有高导热率的陶瓷过程中，晶格中的氧会产生额外的硅空位，这些空位导致声子散射，使热导率降低，因此烧结添加剂的选择需要考虑氧含量的影响。 为了制备具 碳化硅(SiC)作为导热材料的应用前景 - 技术科普 - 新 2023年6月6日 2.不同添加剂掺杂对热导率的影响 在制备具有高导热率的陶瓷过程中，晶格中的氧会产生额外的硅空位，这些空位导致声子散射，使热导率降低，因此烧结添加剂的选择需要考虑氧含量的影响。 为了制备具
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二维碳化硅的异常温度相关热导率,Nanotechnology - X-MOL
2019年8月20日 高于室温，热导率偏离正常的 1/T 定律并显示出异常缓慢下降的行为。为了阐明热导率的变化，使用原子速度自相关的傅立叶变换对不同长度和温度下的声子模式进行量化。计算出的高温声子态密度显示出峰的收缩和软化，这导致了热导率的异常。 二维碳化硅的异常温度相关热导率,Nanotechnology - X-MOL2019年8月20日 高于室温，热导率偏离正常的 1/T 定律并显示出异常缓慢下降的行为。为了阐明热导率的变化，使用原子速度自相关的傅立叶变换对不同长度和温度下的声子模式进行量化。计算出的高温声子态密度显示出峰的收缩和软化，这导致了热导率的异常。
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杂质和缺陷对 SiC 单晶导热性能的影响
2021年7月17日 提出常规声子散射和晶界散射在1200K以下时也对SiC热导率有一定影响的假设。综上所述,有多种复杂因素可以对SiC晶体热导率产生影响,主要包括晶型、晶向、温度、杂质、缺陷、载 流子等,这也是报道的SiC晶体的热导率呈现较大差距的原因。 杂质和缺陷对 SiC 单晶导热性能的影响2021年7月17日 提出常规声子散射和晶界散射在1200K以下时也对SiC热导率有一定影响的假设。综上所述,有多种复杂因素可以对SiC晶体热导率产生影响,主要包括晶型、晶向、温度、杂质、缺陷、载 流子等,这也是报道的SiC晶体的热导率呈现较大差距的原因。
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高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择.cdr
2022年1月28日 种热导率测试方法，并做出分析，对热导率测试方法的选择给出参考意见。随着电子科技技术的快速发展，对于高导热碳化硅的测试研究也得到了重视，大量文献报道 了对高导热碳化硅热导率测试所进行的测试研究[2-10]，但不同工作之间存在着相互矛盾的测试 高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率测试方法选择.cdr2022年1月28日 种热导率测试方法，并做出分析，对热导率测试方法的选择给出参考意见。随着电子科技技术的快速发展，对于高导热碳化硅的测试研究也得到了重视，大量文献报道 了对高导热碳化硅热导率测试所进行的测试研究[2-10]，但不同工作之间存在着相互矛盾的测试
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碳化硅复合管的热扩散率和热导率：微观结构和辐照的影响
2021年8月15日 包壳热导率是评估用于核反应堆的碳化硅 (SiC) 包壳燃料性能的重要物理特性。然而，严重缺乏可靠的数据，特别是对于辐照材料，因为几何形状使测量复杂化。本研究调查了由 SiC 纤维增强 SiC 基复合材料管加工而成的具有曲率的试样的热扩散率，在轻水反应堆相关温度和剂量条件下，有和没有中子 ... 碳化硅复合管的热扩散率和热导率：微观结构和辐照的影响2021年8月15日 包壳热导率是评估用于核反应堆的碳化硅 (SiC) 包壳燃料性能的重要物理特性。然而，严重缺乏可靠的数据，特别是对于辐照材料，因为几何形状使测量复杂化。本研究调查了由 SiC 纤维增强 SiC 基复合材料管加工而成的具有曲率的试样的热扩散率，在轻水反应堆相关温度和剂量条件下，有和没有中子 ...
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碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究
碳化硅(SiC)由于性能优异, 已广泛应用于核技术领域. 在辐照环境下, 载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置, 进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷, 这些缺陷将改变材料的热物性能, 劣化材料的服役性能. 因此, 本文利用平衡分子动力学方法(Green-Kubo方法)采用Tersoff型势函数 ... 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究碳化硅(SiC)由于性能优异, 已广泛应用于核技术领域. 在辐照环境下, 载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置, 进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷, 这些缺陷将改变材料的热物性能, 劣化材料的服役性能. 因此, 本文利用平衡分子动力学方法(Green-Kubo方法)采用Tersoff型势函数 ...
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晶体碳化硅膜、纳米线和声子晶体中热导率的纳米级极限 ...
2022年4月15日 在最小的纳米结构中，热导率达到了体积的 10%。为了更好地理解 SiC 中的纳米级热传输，我们还探测了纳米结构中的声子平均自由程和相干热传导。我们的理论模型将观察到的热传导抑制与表面声子散射联系起来，这限制了声子平均自由程，从而降低了热导率。 晶体碳化硅膜、纳米线和声子晶体中热导率的纳米级极限 ...2022年4月15日 在最小的纳米结构中，热导率达到了体积的 10%。为了更好地理解 SiC 中的纳米级热传输，我们还探测了纳米结构中的声子平均自由程和相干热传导。我们的理论模型将观察到的热传导抑制与表面声子散射联系起来，这限制了声子平均自由程，从而降低了热导率。
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碳化硅材料热导率计算研究进展-【维普期刊官网】- 中文期刊 ...
摘要 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理。 综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法。 Boltzmann-弛豫时间近似(RTA)适用于各个温度段的热导率计算,而分子动力学方法更适用于高温热导率计算... 碳化硅材料热导率计算研究进展-【维普期刊官网】- 中文期刊 ...摘要 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理。 综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法。 Boltzmann-弛豫时间近似(RTA)适用于各个温度段的热导率计算,而分子动力学方法更适用于高温热导率计算...
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碳化硅的热导率和线膨胀系数？_百度知道
2021年7月7日 碳化硅，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。作为一种优质耐火材料，碳化硅具有优越的抗热震性能。这一点具体体现在它具有高的热导率（导热系数）和较低的线膨胀系数。 碳化硅的热导率和线膨胀系数？_百度知道2021年7月7日 碳化硅，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。作为一种优质耐火材料，碳化硅具有优越的抗热震性能。这一点具体体现在它具有高的热导率（导热系数）和较低的线膨胀系数。
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通过分子动力学模拟研究 3C/4H-SiC 纳米线的热导率 ...
2023年7月28日 我们的结果表明，随着 3C/4H-SiC 纳米线的总长度从 23.9 nm 变化到 95.6 nm，热导率呈现增加然后饱和的趋势，显示了热导率的分子动力学模拟的尺寸效应。 3C/4H-SiC 纳米线存在最小热导率，作为均匀周期长度的函数。 通过分子动力学模拟研究 3C/4H-SiC 纳米线的热导率 ...2023年7月28日 我们的结果表明，随着 3C/4H-SiC 纳米线的总长度从 23.9 nm 变化到 95.6 nm，热导率呈现增加然后饱和的趋势，显示了热导率的分子动力学模拟的尺寸效应。 3C/4H-SiC 纳米线存在最小热导率，作为均匀周期长度的函数。
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其他功能性测试检测 高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率 ...
2022年1月28日 从上述文献报道可以看出，目前对于碳化硅高热导率的测试主要集中在激光闪光法、热反射法和稳态法这三类测试方法。. 本文将针对高导热碳化硅，特别是碳化硅晶圆，介绍目前常用的几种热导率测试方法，并做出分析，对热导率测试方法的选择给出参考意见 ... 其他功能性测试检测 高导热3C、4H和6H碳化硅晶圆热导率 ...2022年1月28日 从上述文献报道可以看出，目前对于碳化硅高热导率的测试主要集中在激光闪光法、热反射法和稳态法这三类测试方法。. 本文将针对高导热碳化硅，特别是碳化硅晶圆，介绍目前常用的几种热导率测试方法，并做出分析，对热导率测试方法的选择给出参考意见 ...
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碳纳米管和碳化硅纳米管热导率的分子动力学研究
采用Tersoff势测试和研究了反向非平衡分子动力学中的Müller-Plathe法和Jund法在一维纳米管热传导中的应用. 在相同的模拟步数中, Müller-Plathe法可以得到很好的结果, 热导率在交换频率大于50时对参数的选择并不敏感. 然而, Jund法并不能得到良好的线性温度梯度, 其热导率在一定程度上依赖于选择的热流大小. 碳纳米管和碳化硅纳米管热导率的分子动力学研究采用Tersoff势测试和研究了反向非平衡分子动力学中的Müller-Plathe法和Jund法在一维纳米管热传导中的应用. 在相同的模拟步数中, Müller-Plathe法可以得到很好的结果, 热导率在交换频率大于50时对参数的选择并不敏感. 然而, Jund法并不能得到良好的线性温度梯度, 其热导率在一定程度上依赖于选择的热流大小.
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6 2014-0599 张弛
2015年3月6日 2 碳化硅热导率计算的研究进展 由于多晶材料热导率建模与计算的复杂性，目前 关于碳化硅的热导率计算主要集中在单晶领域，多晶 材料热导率计算主要着眼于晶界对热阻的贡献。 2.1 碳化硅单晶的晶格热导率 目前对于SiC 热导率的计算模拟方法主要有2 6 2014-0599 张弛2015年3月6日 2 碳化硅热导率计算的研究进展 由于多晶材料热导率建模与计算的复杂性，目前 关于碳化硅的热导率计算主要集中在单晶领域，多晶 材料热导率计算主要着眼于晶界对热阻的贡献。 2.1 碳化硅单晶的晶格热导率 目前对于SiC 热导率的计算模拟方法主要有2
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碳化硅陶瓷导热性能的研究进展 - biam.ac.cn
SiC陶瓷具有优异的力学性能、热学性能、抗热震性能、抗化学侵蚀性能和抗氧化性能，是热交换器设备的常用基体材料。由于原料、成型工艺、烧成工艺和烧结助剂等因素制约，SiC陶瓷含有较多气孔、晶界、杂质和缺陷，导致其常温热导率（≤270 W#183;m-1#183;K-1）低于碳化硅单晶材料 ... 碳化硅陶瓷导热性能的研究进展 - biam.ac.cnSiC陶瓷具有优异的力学性能、热学性能、抗热震性能、抗化学侵蚀性能和抗氧化性能，是热交换器设备的常用基体材料。由于原料、成型工艺、烧成工艺和烧结助剂等因素制约，SiC陶瓷含有较多气孔、晶界、杂质和缺陷，导致其常温热导率（≤270 W#183;m-1#183;K-1）低于碳化硅单晶材料 ...
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【复材资讯】碳化硅薄膜以创纪录的热导率击败金刚石 ...
2023年4月14日 然后，他们表明，0.75 um的3C-SiC晶体薄膜可以表现出比金刚石更高的热导率，具有创纪录的面内和横面热导率。在室温下测量的3C-SiC的热导率与其他高热导晶体的晶圆尺寸的函数进行了比较。阴影部分包括来自大晶体的数据。该结果解决了一个长期存在的 【复材资讯】碳化硅薄膜以创纪录的热导率击败金刚石 ...2023年4月14日 然后，他们表明，0.75 um的3C-SiC晶体薄膜可以表现出比金刚石更高的热导率，具有创纪录的面内和横面热导率。在室温下测量的3C-SiC的热导率与其他高热导晶体的晶圆尺寸的函数进行了比较。阴影部分包括来自大晶体的数据。该结果解决了一个长期存在的
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碳化硅材料的热导率研究_百度文库
碳化硅是一种具有优异热导率的材料，近年来受到了广泛关注。本文将从碳化硅材料的基本特性、热导率的影响因素、以及热导率研究的最新进展等方面进行探讨。 首先，碳化硅作为一种耐高温材料，具有优异的热导率，这使得它在诸多领域得到应用。 碳化硅材料的热导率研究_百度文库碳化硅是一种具有优异热导率的材料，近年来受到了广泛关注。本文将从碳化硅材料的基本特性、热导率的影响因素、以及热导率研究的最新进展等方面进行探讨。 首先，碳化硅作为一种耐高温材料，具有优异的热导率，这使得它在诸多领域得到应用。
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热管理用高导热碳化硅陶瓷基复合材料研究进展
2022年10月31日 对于非金属晶体, 提高材料导热性能的关键在于增大声子平均自由程(Phonon mean free path), 减少由晶格振动引起的声子散射, 从而提高材料热输运效率 [23-24]。目前, 提高碳化硅陶瓷基复合材料导热性能的手段主要有: 1)引入高导热相, 提高碳化硅陶瓷基复合材料热导率; 2)优化复合材料基体与增强体之间的 ... 热管理用高导热碳化硅陶瓷基复合材料研究进展2022年10月31日 对于非金属晶体, 提高材料导热性能的关键在于增大声子平均自由程(Phonon mean free path), 减少由晶格振动引起的声子散射, 从而提高材料热输运效率 [23-24]。目前, 提高碳化硅陶瓷基复合材料导热性能的手段主要有: 1)引入高导热相, 提高碳化硅陶瓷基复合材料热导率; 2)优化复合材料基体与增强体之间的 ...
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